KIOXIA UFS 4.1: Hochleistungsspeicher mit BiCS FLASH 3D der 8. Generation für KI-basierte Mobilanwendungen
KIOXIA Europe hat die ersten Muster seiner neuen Embedded-Flashspeicher im UFS-4.1-Format vorgestellt – mit Fokus auf Mobilgeräte der nächsten Generation, darunter Smartphones mit integrierter KI. Die neuen Speicher vereinen hohe Geschwindigkeit, Energieeffizienz und kompakte Bauform auf Basis der BiCS FLASH™ 3D-Flashtechnologie der 8. Generation. Als technologische Neuerung führt KIOXIA die CBA-Technologie (CMOS directly Bonded to Array) ein, bei der die Steuerlogik direkt mit dem Speicher-Array verbunden ist – ein Architekturansatz, der Performance, Energieverbrauch und Speicherdichte signifikant verbessert.
Die Module mit 256 GB, 512 GB und 1 TB Speicherkapazität bieten im Vergleich zur vorherigen Generation bis zu 45 % schnellere Zugriffszeiten und bis zu 30 % bessere Schreibleistung. Weitere Features: vom Host initiierte Defragmentierung, adaptive Pufferung durch WriteBooster, reduzierte Gehäusegröße (1 TB-Modell) sowie Unterstützung des JEDEC-konformen UFS-4.1-Standards. Diese Kombination ermöglicht kürzere Reaktionszeiten, nahtloses App-Verhalten und eine verbesserte User Experience – bei gleichzeitig geringerem Energieverbrauch.
Der neue UFS-Speicher ist insbesondere für leistungsintensive mobile Endgeräte mit KI-Features konzipiert, die höchste Anforderungen an Datenverarbeitung und Energieeffizienz stellen. „Mit unserer 8. Generation von BiCS FLASH und der CBA-Technologie setzen wir einen neuen Maßstab in puncto mobile Hochleistungsspeicher“, erklärt Axel Störmann, Vice President & CTO Memory bei KIOXIA Europe. Die Speicherlösung ist JEDEC-kompatibel und unterstützt Vollduplex-Datenübertragung über serielle Schnittstellen – ideal für zukünftige Anforderungen im Bereich AI on Device, 5G und AR/VR.
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