Kioxia Europe präsentiert fünfte BiCS-FLASH-Generation
Kioxia Europe präsentiert mit der fünften Generation der BiCS-FLASH-Technologie eine neue 3D-NAND-Flash-Speicherlösung mit vertikal geschichteter 112-Layer-Struktur. Erste Muster mit einer Kapazität von 512 Gigabit (64 Gigabyte) und Triple-Level-Cell-Technologie werden für Spezialanwendungen voraussichtlich bereits im ersten Quartal 2020 zur Verfügung stehen. Mit der neuen Generation zielt Kioxia auf die ständig steigenden Anforderungen zahlreicher Anwendungsgebiete ab – von mobilen Endgeräten über Consumer- und Enterprise-SSDs bis hin zu 5G-Anwendungen, künstlicher Intelligenz und autonomen Fahrzeugen.
In der Folge wird Kioxia die neue Prozesstechnologie der fünften Generation auch auf Speicherchips mit größerer Kapazität anwenden, beispielweise 1-Terabit-Triple-Level-Cell- und 1,33-Terabit-Quadruple-Level-Cell-Chips. Kioxias 112-Layer-Stapelprozesstechnologie wird mit fortschrittlicher Schalttechnik und Fertigungsprozesstechnologie kombiniert. Im Vergleich zum 96-Layer-Stapelprozess lässt sich dadurch die Speicherdichte um rund 20 Prozent erhöhen. Die neue Technologie reduziert die Kosten pro Bit und steigert die Speicherkapazität pro Silizium-Wafer. Darüber hinaus verbessert sie die Schnittstellengeschwindigkeit um 50 Prozent, bietet eine höhere Programmierleistung und verkürzt die Leselatenz.
Seit der Ankündigung des ersten Prototyps der 3D-NAND-Flash-Speichertechnologie im Jahr 2007 treibt Kioxia die Entwicklung dieser Technologie weiter voran und fördert BiCS FLASH aktiv, um die Nachfrage nach größeren Kapazitäten bei kleineren Chipgrößen zu erfüllen. Die fünfte Generation von BiCS FLASH wurde gemeinsam mit dem Technologie- und Produktionspartner Western Digital Corporation entwickelt. Die neue Generation der BiCS-FLASH-3D-Technologie wird im Kioxia-Werk in Yokkaichi und im neu errichteten Kitakami-Werk produziert.
Weitere Informationen: https://www.Kioxia.com/de-de/top.html
