Neuer 8-Mbit-FRAM von Fujitsu garantiert 100 Billionen Lese-/Schreib-Zykluszeiten
Neu auf dem Markt: Der 8Mbit FRAM “MB85R8M2TA”. Er garantiert im FRAM-Produktportfolio von Fujitsu Semiconductor als erste Lösung 100 Billionen Lese-/Schreib-Zykluszeiten. Ab sofort sind Evaluierungsmuster des Produkts verfügbar. Bei FRAM handelt es sich um einen nichtflüchtigen Speicher, der bereits seit 20 Jahren in Massen produziert wird und der laut Hersteller einen geringen Stromverbrauch mit einer hohen Schreibgeschwindigkeit und einer hohen Lese-/Schreibbeständigkeit vereint.
Der MB85R8M2TA mit SRAM-kompatibler Parallelschnittstelle arbeitet mit einem weiten Versorgungsspannungsbereich von 1,8 V bis 3,6 Volt. Mit einer Betriebszeit von bis zu 25 ns im Fast-Page-Modus ist die Zugriffsgeschwindigkeit des neuen FRAM so hoch wie die von SRAM bei kontinuierlicher Datenübertragung. Im Vergleich zu den herkömmlichen Produkten von Fujitsu werden sowohl Hochgeschwindigkeitsoperationen (zirka 30 Prozent schnellere Zugriffsgeschwindigkeit) als auch eine geringe Leistungsaufnahme (zehn Prozent weniger Betriebsstrom) erreicht. Dieser Speicher-IC ist ein idealer Ersatz für SRAM in Industriemaschinen, die mit hoher Geschwindigkeit arbeiten müssen.
Weitere Informationen: FRAM Features : FUJITSU SEMICONDUCTOR MEMORY SOLUTION
