{"id":31448,"date":"2026-06-18T08:30:32","date_gmt":"2026-06-18T06:30:32","guid":{"rendered":"https:\/\/www.sysbus.eu\/?p=31448"},"modified":"2026-06-11T08:33:13","modified_gmt":"2026-06-11T06:33:13","slug":"fraunhofer-ipms-und-globalfoundries-entwickeln-energieeffizienten-fram-speicher-fuer-edge-ki","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.sysbus.eu\/?p=31448","title":{"rendered":"Fraunhofer IPMS und GlobalFoundries entwickeln energieeffizienten FRAM-Speicher f\u00fcr Edge-KI"},"content":{"rendered":"\n

Digitale Anwendungen ben\u00f6tigen immer leistungsf\u00e4higere Speicherl\u00f6sungen, die Daten schnell verarbeiten und gleichzeitig m\u00f6glichst wenig Energie verbrauchen. Besonders in Bereichen wie Industrieautomation, Medizintechnik und Automotive steigen die Anforderungen kontinuierlich. Forschende des Fraunhofer-Instituts f\u00fcr Photonische Mikrosysteme (Fraunhofer IPMS) haben nun gemeinsam mit GlobalFoundries eine neuartige Speichertechnologie entwickelt, die genau diese Anforderungen erf\u00fcllt. Die Innovation kombiniert hohe Geschwindigkeit, dauerhafte Datenspeicherung und einen \u00e4u\u00dferst geringen Energiebedarf. F\u00fcr diese erfolgreiche Verbundforschung wurde das Projektteam mit dem Wissenschaftspreis des Stifterverbandes \u201eForschung im Verbund\u201c ausgezeichnet.<\/p>\n\n\n\n

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Energie sparen, schneller rechnen und Daten dauerhaft sichern: Die neue Speichertechnologie erf\u00fcllt genau diese Anforderungen – Quelle: Fraunhofer \/ Piotr Banczerowski<\/figcaption><\/figure>\n\n\n\n

Im Mittelpunkt der Entwicklung steht ein ferroelektrischer FRAM-Speicher (Ferroelectric Random Access Memory), der auf Hafniumoxid basiert. Die Technologie nutzt Ver\u00e4nderungen der Polarisation innerhalb eines Kristallgitters, um Informationen dauerhaft zu speichern. Ein wesentlicher Vorteil besteht darin, dass die Daten auch ohne Stromversorgung erhalten bleiben und beliebig oft ausgelesen werden k\u00f6nnen, ohne verloren zu gehen.<\/p>\n\n\n\n

Einen entscheidenden Fortschritt erreichte das Forschungsteam durch die Integration der FRAM-Zellen in den industriellen 22FDX\u00ae-Technologieknoten von GlobalFoundries. Die Plattform ist speziell f\u00fcr die Fertigung von Ultra-Low-Power-Mikrochips ausgelegt. Die entwickelten Speicherzellen arbeiten mit Betriebsspannungen von unter einem Volt, schalten innerhalb weniger Nanosekunden und zeichnen sich durch eine hohe Zyklenfestigkeit aus. Damit eignen sie sich f\u00fcr zahlreiche Anwendungen mit hohen Anforderungen an Zuverl\u00e4ssigkeit und Energieeffizienz.<\/p>\n\n\n\n

Besonders interessant ist die Technologie f\u00fcr Edge-KI-Anwendungen, bei denen Daten direkt auf dem Endger\u00e4t verarbeitet werden. Durch den geringen Energieverbrauch k\u00f6nnen autonome Sensoren, batteriebetriebene Systeme und intelligente Ger\u00e4te deutlich effizienter arbeiten. Dies er\u00f6ffnet neue M\u00f6glichkeiten f\u00fcr den Einsatz K\u00fcnstlicher Intelligenz au\u00dferhalb gro\u00dfer Rechenzentren.<\/p>\n\n\n\n

Das Projekt basiert auf einer langj\u00e4hrigen Zusammenarbeit zwischen Fraunhofer IPMS und GlobalFoundries am Standort Dresden. Innerhalb des Innovationsnetzwerks Silicon Saxony wurden Materialien, Prozesse und Fertigungstechnologien gemeinsam entwickelt und auf industrielle Anforderungen abgestimmt. Die Partner sehen darin einen wichtigen Beitrag zur St\u00e4rkung des Halbleiterstandorts Deutschland und zur Entwicklung leistungsf\u00e4higer, robuster sowie energieeffizienter Elektronik der n\u00e4chsten Generation.<\/p>\n\n\n\n

Fraunhofer IPMS: Willkommen – Fraunhofer IPMS – Fraunhofer IPMS<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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