{"id":20104,"date":"2021-12-13T11:55:00","date_gmt":"2021-12-13T10:55:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.sysbus.eu\/?p=20104"},"modified":"2021-12-07T10:26:50","modified_gmt":"2021-12-07T09:26:50","slug":"neuer-8-mbit-fram-von-fujitsu-garantiert-100-billionen-lese-schreib-zykluszeiten","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.sysbus.eu\/?p=20104","title":{"rendered":"Neuer 8-Mbit-FRAM von Fujitsu garantiert 100 Billionen Lese-\/Schreib-Zykluszeiten"},"content":{"rendered":"\n<p>Neu auf dem Markt: Der 8Mbit FRAM &#8222;MB85R8M2TA&#8220;. Er garantiert im FRAM-Produktportfolio von Fujitsu Semiconductor als erste L\u00f6sung 100 Billionen Lese-\/Schreib-Zykluszeiten. Ab sofort sind Evaluierungsmuster des Produkts verf\u00fcgbar. Bei FRAM handelt es sich um einen nichtfl\u00fcchtigen Speicher, der bereits seit 20 Jahren in Massen produziert wird und der laut Hersteller einen geringen Stromverbrauch mit einer hohen Schreibgeschwindigkeit und einer hohen Lese-\/Schreibbest\u00e4ndigkeit vereint.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image size-large\"><a href=\"https:\/\/www.sysbus.eu\/wp-content\/uploads\/2021\/12\/prw_PI4fl_1D8dFJht.jpg\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"576\" src=\"https:\/\/www.sysbus.eu\/wp-content\/uploads\/2021\/12\/prw_PI4fl_1D8dFJht-1024x576.jpg\" alt=\"\" class=\"wp-image-20105\" srcset=\"https:\/\/www.sysbus.eu\/wp-content\/uploads\/2021\/12\/prw_PI4fl_1D8dFJht-1024x576.jpg 1024w, https:\/\/www.sysbus.eu\/wp-content\/uploads\/2021\/12\/prw_PI4fl_1D8dFJht-300x169.jpg 300w, https:\/\/www.sysbus.eu\/wp-content\/uploads\/2021\/12\/prw_PI4fl_1D8dFJht-768x432.jpg 768w, https:\/\/www.sysbus.eu\/wp-content\/uploads\/2021\/12\/prw_PI4fl_1D8dFJht.jpg 1200w\" sizes=\"auto, (max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/a><figcaption>Bild: Fujitsu<\/figcaption><\/figure>\n\n\n\n<!--more-->\n\n\n\n<p>Der MB85R8M2TA mit SRAM-kompatibler Parallelschnittstelle arbeitet mit einem weiten Versorgungsspannungsbereich von 1,8\u00a0V bis 3,6\u00a0Volt. Mit einer Betriebszeit von bis zu 25\u00a0ns im Fast-Page-Modus ist die Zugriffsgeschwindigkeit des neuen FRAM so hoch wie die von SRAM bei kontinuierlicher Daten\u00fcbertragung. Im Vergleich zu den herk\u00f6mmlichen Produkten von Fujitsu werden sowohl Hochgeschwindigkeitsoperationen (zirka 30\u00a0Prozent schnellere Zugriffsgeschwindigkeit) als auch eine geringe Leistungsaufnahme (zehn Prozent weniger Betriebsstrom) erreicht. Dieser Speicher-IC ist ein idealer Ersatz f\u00fcr SRAM in Industriemaschinen, die mit hoher Geschwindigkeit arbeiten m\u00fcssen.<\/p>\n\n\n\n<p>Weitere Informationen: <a href=\"https:\/\/www.fujitsu.com\/jp\/group\/fsm\/en\/products\/fram\/features\/\">FRAM Features : FUJITSU SEMICONDUCTOR MEMORY SOLUTION<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Neu auf dem Markt: Der 8Mbit FRAM &#8222;MB85R8M2TA&#8220;. Er garantiert im FRAM-Produktportfolio von Fujitsu Semiconductor als erste L\u00f6sung 100 Billionen Lese-\/Schreib-Zykluszeiten. 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