{"id":15625,"date":"2020-02-06T11:23:00","date_gmt":"2020-02-06T10:23:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.sysbus.eu\/?p=15625"},"modified":"2020-02-03T11:35:33","modified_gmt":"2020-02-03T10:35:33","slug":"kioxia-europe-praesentiert-fuenfte-bics-flash-generation","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.sysbus.eu\/?p=15625","title":{"rendered":"Kioxia Europe pr\u00e4sentiert f\u00fcnfte BiCS-FLASH-Generation"},"content":{"rendered":"\n<p>Kioxia Europe pr\u00e4sentiert mit der f\u00fcnften Generation der BiCS-FLASH-Technologie eine neue 3D-NAND-Flash-Speicherl\u00f6sung mit vertikal geschichteter 112-Layer-Struktur. Erste Muster mit einer Kapazit\u00e4t von 512 Gigabit (64 Gigabyte) und Triple-Level-Cell-Technologie werden f\u00fcr Spezialanwendungen voraussichtlich bereits im ersten Quartal 2020 zur Verf\u00fcgung stehen. Mit der neuen Generation zielt Kioxia auf die st\u00e4ndig steigenden Anforderungen zahlreicher Anwendungsgebiete ab \u2013 von mobilen Endger\u00e4ten \u00fcber Consumer- und Enterprise-SSDs bis hin zu 5G-Anwendungen, k\u00fcnstlicher Intelligenz und autonomen Fahrzeugen. <\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image size-large\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" width=\"750\" height=\"450\" src=\"https:\/\/www.sysbus.eu\/wp-content\/uploads\/2020\/02\/Kioxia.png\" alt=\"\" class=\"wp-image-15626\" srcset=\"https:\/\/www.sysbus.eu\/wp-content\/uploads\/2020\/02\/Kioxia.png 750w, https:\/\/www.sysbus.eu\/wp-content\/uploads\/2020\/02\/Kioxia-300x180.png 300w\" sizes=\"auto, (max-width: 750px) 100vw, 750px\" \/><figcaption>Screenshot: Sysbus<\/figcaption><\/figure>\n\n\n\n<!--more-->\n\n\n\n<p>In\nder Folge wird Kioxia die neue Prozesstechnologie der f\u00fcnften Generation auch\nauf Speicherchips mit gr\u00f6\u00dferer Kapazit\u00e4t anwenden, beispielweise\n1-Terabit-Triple-Level-Cell- und 1,33-Terabit-Quadruple-Level-Cell-Chips. Kioxias\n112-Layer-Stapelprozesstechnologie wird mit fortschrittlicher Schalttechnik und\nFertigungsprozesstechnologie kombiniert. Im Vergleich zum\n96-Layer-Stapelprozess l\u00e4sst sich dadurch die Speicherdichte um rund 20 Prozent\nerh\u00f6hen. Die neue Technologie reduziert die Kosten pro Bit und steigert die\nSpeicherkapazit\u00e4t pro Silizium-Wafer. Dar\u00fcber hinaus verbessert sie die\nSchnittstellengeschwindigkeit um 50 Prozent, bietet eine h\u00f6here\nProgrammierleistung und verk\u00fcrzt die Leselatenz. <\/p>\n\n\n\n<p>Seit\nder Ank\u00fcndigung des ersten Prototyps der 3D-NAND-Flash-Speichertechnologie im\nJahr 2007 treibt Kioxia die Entwicklung dieser Technologie weiter voran und\nf\u00f6rdert BiCS FLASH aktiv, um die Nachfrage nach gr\u00f6\u00dferen Kapazit\u00e4ten bei\nkleineren Chipgr\u00f6\u00dfen zu erf\u00fcllen. Die f\u00fcnfte Generation von BiCS FLASH wurde\ngemeinsam mit dem Technologie- und Produktionspartner Western Digital\nCorporation entwickelt. Die neue Generation der BiCS-FLASH-3D-Technologie wird\nim Kioxia-Werk in Yokkaichi und im neu errichteten Kitakami-Werk produziert. <\/p>\n\n\n\n<p>Weitere\nInformationen: <a href=\"https:\/\/www.kioxia.com\/de-de\/top.html\">https:\/\/www.Kioxia.com\/de-de\/top.html<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Kioxia Europe pr\u00e4sentiert mit der f\u00fcnften Generation der BiCS-FLASH-Technologie eine neue 3D-NAND-Flash-Speicherl\u00f6sung mit vertikal geschichteter 112-Layer-Struktur. Erste Muster mit einer Kapazit\u00e4t von 512 Gigabit (64 Gigabyte) und Triple-Level-Cell-Technologie werden f\u00fcr Spezialanwendungen voraussichtlich bereits im ersten Quartal 2020 zur Verf\u00fcgung stehen. 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